인피니언, 오스트리아에 11억 유로 투자 계획…300㎜ 질화갈륨 반도체 양산 추진
인피니언이 오스트리아에 2034년까지 약 11억 유로를 투자해 300㎜ GaN 양산을 추진합니다. 생산 시작과 지원금 지급은 계획·조건부 단계입니다.
핵심 사실: 독일 반도체 기업 인피니언은 10월 27일 오스트리아 필라흐(Villach)의 기존 클린룸을 활용해 지름 300㎜ 웨이퍼 기반 질화갈륨(GaN) 전력반도체 양산시설을 구축한다고 발표했습니다. 회사가 제시한 누적 투자 예정액은 2034년까지 약 11억 유로이며, 생산 시작 목표는 2027년 말입니다. 인피니언은 유럽 반도체법에 따른 지원 예정액 3억 1,900만 유로도 언급했습니다. 공식 발표
배경: 질화갈륨 전력반도체는 전력을 변환·제어하는 장치의 손실과 부피를 줄이는 데 활용됩니다. 주요 적용 대상은 AI 데이터센터 전원장치, 전력 인프라, 전동 모빌리티, 로봇 등입니다. 인피니언은 같은 공정에서 300㎜ 웨이퍼가 200㎜ 웨이퍼보다 웨이퍼당 약 2.3배 많은 칩을 생산할 수 있다고 설명했습니다. 이는 회사가 제시한 생산성 비교이며 모든 제품의 실제 양품 수율이나 매출이 2.3배 증가한다는 뜻은 아닙니다. 관련 보도
의미: AI·전력 효율 수요가 메모리와 연산용 반도체뿐 아니라 전력반도체 생산시설 투자로 연결되는 사례입니다. 유럽 내 생산기반 확대는 장기적으로 장비·소재 조달과 공급망 다변화에 영향을 줄 수 있습니다. 한국 장비·소재업체가 이 사업에 참여한다고 확인된 것은 아닙니다.
확인한 것과 불확실한 것: 투자 범위, 공정 규격과 양산 목표는 인피니언 공식 발표에서 확인하고 로이터 보도와 대조했습니다. 회사는 세계 최초의 300㎜ GaN 대량생산 시설을 구축하겠다는 목표를 제시했지만, 이는 가동 완료 실적이 아닙니다. 유럽연합 집행위원회의 국가 지원 승인과 각국 보조금의 실제 확정·지급은 구분해야 합니다. 생산 수율, 고객별 계약 물량과 연도별 자본지출액은 확인되지 않았습니다.