핵심 내용
중국 최대 DRAM 업체 CXMT가 9월 20일 5세대 DRAM 기술 플랫폼이 양산에 들어갔다고 발표했다. Reuters에 따르면 CXMT는 새로운 공정으로 memory cell 핵심 feature 간격을 11.95nm 수준까지 줄였고, quadruple patterning을 활용해 미국의 첨단 노광장비 수출제한 아래에서도 집적도를 높였다. 같은 플랫폼으로 만든 24Gb LPDDR5X 제품 2종도 이미 양산 중이라고 회사는 밝혔다.
CXMT는 새 플랫폼이 이전 4세대 대비 8Gb chip baseline 기준 wafer당 gross die 수를 최소 50% 늘릴 수 있다고 주장했다. 여기서 gross die는 최종 검사에서 살아남은 양품 수율이 아니라 wafer에서 이론적으로 확보 가능한 chip 개수에 가까운 지표이므로, 이를 곧바로 실제 수율이나 원가 50% 개선으로 해석해서는 안 된다. 회사는 새 24Gb LPDDR5X가 기존 동급 제품보다 50% 더 많은 데이터를 담을 수 있다고 설명했다.
배경
DRAM 시장은 Samsung Electronics, SK hynix, Micron이 지배하고 있으며 중국은 미국의 반도체 장비·EDA 수출통제로 첨단 공정 접근이 제한돼 있다. CXMT는 EUV 없이 반복 patterning과 중국 장비업체와의 공동공정 개발을 통해 기술격차를 줄이는 전략을 취하고 있다. AI boom이 HBM뿐 아니라 서버 DRAM과 모바일·edge AI용 메모리 수요까지 끌어올리면서 중국 입장에서는 DRAM 자립의 전략적 가치가 더 커졌다.
산업·시장에 미치는 영향
CXMT가 실제 수율과 전력·성능에서 경쟁력을 확보하면 Samsung·SK hynix·Micron은 중저가 DRAM과 모바일 LPDDR 시장에서 더 강한 가격압력을 받을 수 있다. 당장은 HBM 최상위 시장과 동일선상에 놓기 어렵지만, 범용 DRAM에서 scale을 확보하면 중국 자체 AI 서버와 모바일 생태계의 공급망 자립도가 높아진다. 미국 수출통제가 중국 메모리 생산을 완전히 멈추기보다 더 복잡한 patterning과 현지 장비 개발을 촉진하는 효과도 확인되고 있다.
실무에서 바로 활용할 수 있는 시사점
메모리 조달이나 AI 서버 TCO를 계산할 때 HBM만 추적하지 말고 DDR·LPDDR·enterprise SSD까지 중국 공급자의 생산능력 확대를 별도 시나리오로 넣을 필요가 있다. 다만 CXMT 발표의 gross die 증가율과 실제 usable yield는 구분해야 하며, 제품 인증·장기 reliability·전력·컨트롤러 호환성을 검증하기 전에는 단순 가격만으로 기존 공급자를 대체하기 어렵다.
출처: Reuters — China's CXMT says new memory-chip platform enters mass production