핵심 내용
10월 18일 Reuters가 서울경제신문을 인용해 보도한 내용에 따르면 삼성전자는 NVIDIA의 차세대 맞춤형 고대역폭메모리인 NVHBM용 베이스 다이 생산에 TSMC의 3나노미터 공정을 사용할 계획이다. 보도가 사실이라면 삼성전자가 HBM 제조 단계에서 대만 파운드리 업체의 공정을 사용하는 첫 사례가 된다.
기사에 따르면 NVIDIA는 삼성전자·SK하이닉스·마이크론에 NVHBM 베이스 다이는 TSMC 공정으로, 코어 다이는 6세대 D램 기술로 제작할 것을 요청했다. NVHBM은 베이스 다이에 NVIDIA의 맞춤형 메모리 컨트롤러를 통합하는 구상이다. 삼성전자가 관련 요구를 내부 검토 후 수용했지만 일반 HBM과 다른 고객의 맞춤형 제품에는 자체 생산체계를 유지한다는 설명도 포함됐다. 이는 업계 관계자를 인용한 언론 보도로, 세 회사가 공동으로 발표한 확정 공급계약이나 실제 양산 완료를 뜻하지 않는다.
배경
HBM은 여러 D램 다이를 쌓아 GPU에 대량의 데이터를 공급하며, 베이스 다이의 기능과 제조공정도 시스템 성능에 영향을 준다. GPU 업체가 메모리 컨트롤러와 인터페이스를 더 세밀하게 설계하면 메모리 제조사와 파운드리 사이의 역할 분담이 복잡해질 수 있다.
산업·시장에 미치는 영향
메모리 제조사들의 경쟁은 D램 셀과 적층 수율뿐 아니라 베이스 다이 설계, 첨단 파운드리 생산능력, 패키징, NVIDIA 요구조건에 대한 대응으로 확대될 수 있다. 다만 TSMC 공정 사용이 확정 수주량, 가격 또는 업체별 점유율을 자동으로 보장하지는 않는다.
실무에서 바로 활용할 수 있는 시사점
AI 서버 공급망을 평가할 때 HBM 세대명뿐 아니라 베이스 다이 공정, 메모리 컨트롤러 통합 방식, 패키징 수율과 실제 납품 일정을 별도로 확인해야 한다. 기업의 계약·양산 공식 발표가 나오기 전까지는 이번 내용을 조달 확정 사실로 사용하지 않는 편이 좋다.